两类晶圆面临的污染物类型一致，但危害影响存在差异。

• 颗粒污染物：包括灰尘、金属颗粒、研磨颗粒等，会导致硅晶圆电路短路 / 断路，玻璃晶圆镀膜缺陷。

• 有机污染物：涵盖光刻胶残留、皮脂、溶剂残留等，阻碍硅晶圆刻蚀 / 离子注入，降低玻璃晶圆膜层附着力。

• 金属离子污染物：如铁、铜、钠等，严重损害硅晶圆电性能，影响玻璃晶圆薄膜质量。

• 自然氧化层 / 改性层：硅晶圆表面会生成不均匀二氧化硅层，需彻底去除；玻璃晶圆无需除氧化层，但需清理表面污染改性层。

1. 硅晶圆：极致电性能保障

   清洗需满足严苛的电学洁净标准，≥0.1μm 颗粒需有效去除，金属离子浓度控制在 10¹⁰atoms/cm² 以下，有机物残留量极低，避免电路短路、漏电等问题。

2. 玻璃晶圆：物理完美性坚守

   重点保障宏观外观与化学稳定性，无划伤、无顽固污渍，维持原有表面粗糙度和几何形状，确保后续工艺的膜层附着力。

1. 硅晶圆：晶体结构的氧化层隐患

   硅为晶体材料，表面在空气中会自然生长厚度不均的二氧化硅氧化层，这层氧化膜会影响电性能，必须彻底均匀去除，清洗时可接受轻微可控蚀刻。

2. 玻璃晶圆：非晶结构的腐蚀敏感性

   玻璃是无定形二氧化硅网络，与硅的氧化层成分类似，易被氢氟酸快速腐蚀，也怕强碱侵蚀，清洗需严防基材损伤