Bumping技术起源于IBM在20世纪60年代开发的C4工艺，即可控坍塌芯片连接技术。该技术使用金属共熔凸点将芯片直接焊在基片的焊盘上，这是集成电路凸块制造技术的雏形，也是实现倒装封装技术的基础。

随着时间的推移，采用在芯片底部添加树脂的方法，进一步降低了Bump工艺的成本，使得FC技术能在集成电路以及消费电子器件大规模应用。到21世纪初，凸块制造技术由蒸镀工艺转变为溅镀与电镀相结合的凸块工艺，大幅缩小了凸块间距，Bump工艺应用越来越广泛。近年来，随着芯片集成度提高，细节距和极细节距芯片出现，进一步推动Bumping技术朝着高密度、微间距方向发展。

Bumping技术，也称为凸块技术。其主要原理是通过在芯片表面制作微小的金属凸点，为芯片提供电气连接接口。这些金属凸点不仅提升了连接的可靠性，还显著缩短了电气连接路径，降低了信号损耗。

相比以引线作为键合方式传统的封装，凸块代替了原有的引线，实现了"以点代线"的突破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导性及可靠性。

经过多年的发展，凸块种类也衍生出不同的材料，主要有金、铜、铜镍金、锡等，不同金属材质适用于不同芯片的封装，且不同凸块的特点、涉及的核心技术、上下游应用等方面差异较大。

在Wafer的Bumping工艺中，主要面临以下主要挑战：

凸点尺寸与间距的控制：随着半导体技术的发展，凸点的尺寸和间距不断缩小，这对Bumping工艺的精度提出了更高的要求。为了控制凸点的尺寸和间距，需要采用高精度的光刻和蚀刻设备，并严格控制工艺参数。

金属凸点的均匀性：金属凸点的均匀性对电气连接性能有重要影响。为了确保凸点的均匀性，需要采用先进的沉积和电镀设备，并优化工艺参数。此外，还可以通过添加金属镍层等方法提高凸点的均匀性和可靠性。

污染问题：在Bumping工艺中，污染问题可能会影响凸点的质量和可靠性。为了减少污染，需要采用高纯度的材料和试剂，并严格控制工艺环境。